Dotierung

  • Ionenimplantationsanlage:

    Ionenimplantationsanlage zur Modifikation von Halbleitereigenschaften (z.B. Dotierung) mittels hochenergetischer Ionen

Horizontalöfen – Vertikalofen – Einzelscheibenreaktor

 

  • Horizontalöfen:

    Horizontalöfen zur Ausheilung von Kristalldefekten nach der Ionenimplantation und zur thermischen Aktivierung von Dotierstoffatomen

  • Vertikalofen:

    Hochtemperaturfähiger Vertikalofen (bis 1700°C) zur thermischen Ausheilung und Aktivierung der Dotierstoffe in Halbleitersubstraten (z.B. SiC)

  • Einzelscheibenreaktor:
    Lampenbeheizter Einzelscheibenreaktor zur schnellen thermischen Ausheilung von Halbleiterscheiben nach der Ionenimplantation