Historie

Der Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente wird 1985 gegründet. Der Aufbau des Lehrstuhls findet zunächst in den umgebauten Räumen einer alten Schlosserei statt, bevor 1990 die Grundsteinlegung für das neue LEB-Institutsgebäude sowie für das LEB-Reinraumlabor erfolgt. Die Einweihung des Reinraumlabors findet am 15. Mai 1992 statt, im Jahr 1993 folgt die Einweihung des LEB-Institusgebäudes.

Personelles

Zum ersten Lehrstuhlinhaber wird im März 1985 Dr.-Ing. Heiner Ryssel berufen. Im Juli desselben Jahres übernimmt Prof. Ryssel in Personalunion zusätzlich die Leitung der Fraunhofer-Arbeitsgruppe für integrierte Schaltungen – Bereich Bauelementetechnologie, aus der 2003 das eigenständige Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB wird.

1999 wird Prof. Dr. phil. nat. Michael Stoisiek auf die Professur Elektronische Bauelemente berufen, die er bis zu seinem Ruhestand im Jahr 2011 inne hat.

Als Nachfolger von Prof. Ryssel wird 2008 Prof. Dr. rer. nat. Lothar Frey berufen. Er übernimmt zunächst zusammen mit Prof. Ryssel sowohl die Leitung des Lehrstuhls für Elektronische Bauelemente als auch die Institutsleitung des IISB ehe 2009 Prof. Heiner Ryssel in den Ruhestand tritt. Bis 2018 liegt die Leitung des Lehrstuhls sowie des IISBs in den Händen von Prof. Lothar Frey. Im Juni 2018 verstirbt Prof. Frey plötzlich und unerwartet. Als kommissarischer Leiter des LEB wird im Juli 2018 Prof. Dr.-Ing. Martin März ernannt.

Im Oktober 2020 wird Prof. Roland Nagy auf die Professur „Elektronische Bauelemente“ berufen. Der Forschungsschwerpunkt von Prof. Nagy Entwicklung liegt in der Entwicklung angewandter Quantentechnologien.

Im September 2021 übernimmt Prof. Dr.-Ing. habil. Jörg Schulze als Lehrstuhlinhaber die Leitung des LEBs.

Forschung

Am Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente wird auf den Gebieten Simulation mikroelektronischer Fertigungsschritte, Halbleiterfertigungsgeräte und -materialien sowie dem Gebiet der Halbleiter-Prozesstechnik und -analytik geforscht.
Die Arbeiten werden von Beginn an in enger Zusammenarbeit mit der Fraunhofer-Arbeitsgruppe AIS-B (später Fraunhofer-Insitut IISB) durchgeführt.

Die neue Technologiehalle bietet dabei die Möglichkeit die prozesstechnische Ausstattung zu erweitern und eine durchgängige Prozesskette für 150 mm-Halbleiterscheiben zur Herstellung von Transistoren und Teststrukturen zu installieren. Als Basis für die Forschungs- und Entwicklungsarbeiten im Reinraumlabor wird 1995/96 ein industrieller CMOS-Prozess etabliert. Forschungsschwerpunkte am Lehrstuhl liegen zunächst in der Entwicklung, Charakterisierung und Simulation von Einzelprozesschritten und Materialien für die Siliciumtechnologie, u.a. in den Bereichen Implantation, Aktivierung und Diffusion von Dotierstoffen sowie der Abscheidung von Oxiden mit hoher Dielektrizätskonstante und metallischen Gateelektroden.

Neben der Entwicklung von Silicium-Leistungsbauelementen werden in den folgenden Jahren erste Foschungsarbeiten zur Herstellug von Bauelementen auf Basis von Siliciumcarbid (SiC) durchgeführt. Darüber wird mit Arbeiten zur Entwicklung druckbarer Elektronik ein weiterer Forschungsschwerpunkt am Lehrstuhl etabliert.