Nitrid-Halbleiter (AG Schimmel)
Für Anwendungen in elektronischen Bauelementen ist die aufstrebende Materialklasse der Nitride hoch spannend, weil durch sie einzigartige, teils neue Kombinationen von Materialeigenschaften ermöglicht werden. Neben einer kleinen Gruppe relativ weit entwickelter Materialien (GaN und AlN, zwei wichtige Halbleiter großer Bandlücke) existiert eine Vielzahl von bislang kaum erforschten und vielversprechenden Materialien.
Ein skalierbares Verfahren zur Herstellung von Nitrid-Einkristallen hoher struktureller Qualität ist die sog. Ammonothermalsynthese, d.h. die Kristallzüchtung aus der Lösung mit Ammoniak im überkritischen Zustand. Für die Erforschung dieses Verfahrens verfügt die Arbeitsgruppe über weltweit einmalige Möglichkeiten zur in situ Beobachtung chemisch-physikalischer Prozesse in Hochdruckbehältern.
Forschungsziele der Arbeitsgruppe:
- Materialherstellung
- Materialcharakterisierung
- Evaluation und Erprobung von Anwendungsmöglichkeiten in elektronischen Bauelementen
Projekte:
Mittelgeber: DFG-Einzelförderung / Emmy-Noether-Programm (EIN-ENP)
Projektleitung:
Kernziele des Projektes sind die Entwicklung ausgewählter neuartiger Nitrid-Halbleiter sowie eines vertieften Verständnisses ihrer Herstellung mittels Ammonothermalsynthese. Das Projekt evaluiert die fundamentalen Eigenschaften ausgewählter, bislang wenig erforschter ternärer Nitride im Hinblick auf Anwendungen in elektronischen Bauelementen. Die Herstellung geeigneter Volumenkristalle erfolgt über die ammonothermale Synthese, wobei neben dem Zugang zu ausgewählten Materialien auch ein vertieftes Verst…
Projektleitung:
Team:
Dr.-Ing. Saskia Schimmel
Thomas Wostatek (M. Sc.)
Rajesh Chirala (M. Sc.)