Entwicklung von Halbleiter-Sensoren auf Siliziumkarbid

Entwicklung von Halbleiter-Sensoren auf Siliziumkarbid

(Projekt aus Eigenmitteln)

Titel des Gesamtprojektes:
Projektleitung:
Projektbeteiligte:
Projektstart: 1. Oktober 2014
Projektende: 15. Juni 2018
Akronym:
Mittelgeber:
URL:

Abstract

Durch die Weiterentwicklung der Prozesstechnologie sowie das verbesserte Bauelement-Verständnis konnte die SiC-Halbleitertechnologie in den letzten Jahren deutlich weiterentwickelt werden. Unterstützt wurde diese Entwicklung besonders durch die signifikante Verbesserung der Substrat-Eigenschaften und getrieben durch den Bedarf im Bereich der Leistungselektronik. Diese verbesserten Halbleitereigenschaften und Fortschritte in der Technologie können weiterhin auch gezielt für die Entwicklung neuartiger halbleiterbasierter Sensor-Bauelemente eingesetzt werden. Insbesondere von Vorteil ist dabei die große Bandlücke und die damit verbundene geringe intrinsischa Ladungsträgerkonzentration. Außerdem sind UV-Sensoren auf Baus von 4H-SiC durch die größere Bandlücke ohne Einsatz von zusätzlichen optischen Filtern tageslichtblind und erlauben eine selektive UV-Detektion. Dies ist zum Beispiel für moderne Brandmelde-Anlagen erforderlich.

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